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进入1.4nm节点比台积电更快：Intel 14A工艺关键指标D0提前一年实现
📋总体概括
Intel的1.4nm级14A工艺进展超预期，CFO David Zinsner称其顺利程度为22nm工艺以来前所未有。爆料显示今年6月14A缺陷密度D0已达0.5，目标2027年Q1做到D0 0.1-0.2；D0小于0.1对应小芯片90%以上良率、AI大芯片65-75%良率，而0.5仅意味着约10%良率。对比18A周期，14A整体领先3-4个季度，量产或提前至2028年上半年甚至Q1，Intel赶超台积电的筹码正在成型。
⚡关键信息
- ▸Intel 14A工艺今年6月D0缺陷密度达0.5，目标2027年Q1做到D0 0.1-0.2
- ▸D0小于0.1意味着小芯片良率超90%，400-800mm2的AI芯片良率可达65-75%
- ▸当前D0 0.5对应约10%良率，尚不具备量产可行性，后续仍需大幅改善
- ▸14A进度比18A周期领先3-4个季度，量产或提前至2028年上半年甚至Q1
- ▸CFO称14A是Intel自22nm以来最顺利的工艺节点，18A/18A-P仅算追平台积电
🔥犀利点评
注意话术陷阱：提前达成的是D0 0.5这个门槛指标，不是量产所需的0.1，从0.5到0.1往往比从1到0.5更难，Intel玩的是把早期爬坡成绩当里程碑宣传的老套路。当然比18A快3-4个季度确有实质意义——18A当年就是被缺陷密度拖到难产。至于「超越台积电」，台积电A14也在推进，真正的验证要看2027年外部客户订单落谁家，自我官宣不算数。
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