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备战 HBM4E：消息称 1c nm 有望 2027 年初成为 SK 海力士第一大 DRAM 工艺
📋总体概括
据韩媒ChosunBiz报道，SK海力士第六代10nm级DRAM工艺1c nm预计2027年初超越1b nm成为其第一大制程。从2026Q1到2027Q1，1c nm占其DRAM总产能比例逐季由10%升至13%、24%、34%、35%，与1b nm的33%形成交叉。SK海力士HBM4仍采用1b nm裸片，而HBM4E将升级至1c nm，提前扩充产能意在保障HBM4向HBM4E切换时的供给平滑。业内预计同期三星、美光1c级产能占比仅为16%和19%，SK海力士领先明显。
⚡关键信息
- ▸SK海力士1c nm产能占比从2026Q1的10%逐季升至2027Q1的35%，约一年内翻三倍以上。
- ▸2027年初1c nm（35%）将与1b nm（33%）形成产能交叉，成为第一大DRAM制程。
- ▸业内预计2026Q2末三星和美光的1c级DRAM产能占比仅分别为16%和19%，落后SK海力士。
- ▸SK海力士HBM4沿用1b nm裸片，HBM4E将切换至1c nm，扩产是为HBM代际升级铺路。
🔥犀利点评
这不是简单的制程迭代，而是HBM霸主保卫战。SK海力士提前一年把1c nm产能堆到35%，本质是把HBM4E的供应权攥在自己手里——HBM拼的从来不是技术参数而是良率和产能卡位。对比三星16%、美光19%的占比，SK的领先不是身位而是身量。三星若再追不上HBM节奏，存储双雄格局恐怕要改写成一家独大。
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