1个原子厚的二维半导体！生长400次只失败3次

📋总体概括

韩国KAIST与初创公司TDS Innovation在《自然》发表论文，提出名为EF-SCN（刻蚀通量介导单一中心成核）的二维半导体生长方法：在生长区四周布置氧化物阻挡层，利用其分解释放的氧气横向扩散，压制中心以外所有位置的成核，迫使二硫化钼只在几何中心单点结晶。400次生长仅失败3次，制出的场效应晶体管载流子迁移率超过此前选择性生长MoS₂器件的报告水平。该方案直击二维半导体从实验室走向晶圆级量产的核心瓶颈——良率与晶界缺陷问题。