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阿斯麦与台积电推动高NA EUV光罩向12英寸升级，计划2031年建立试产线
📋总体概括
阿斯麦与台积电宣布联合推动高NA EUV光刻的光罩从6英寸升级到12英寸，计划2031年建成12英寸光罩试产线，并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。此次升级旨在提升晶圆厂生产效率、降低制造成本并消除拼接限制，是先进制程延续微缩路线的关键基础设施布局。
⚡关键信息
- ▸阿斯麦与台积电成立行业合作计划，推动高NA EUV光罩从6英寸升级至12英寸
- ▸双方计划2031年建立12英寸光罩试产线，2033年推动12英寸高NA EUV系统进入先进制程量产
- ▸台积电预计自2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术
- ▸升级目标是提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制
🔥犀利点评
光罩从6英寸到12英寸，本质是高NA EUV曝光场太小、拼接又太贵的补救方案，成本压力倒逼供应链重做一遍生态，光刻胶、检测、搬运设备全得跟着换，量级堪比一次制程革命。2030高NA量产、2031试产线、2033系统量产，时间表排得很满，但价值数亿美元的设备、全行业配套重建，钱和良率谁先崩都不好说。先进制程这场军备竞赛，已经变成只有台积电玩得起的独角戏。
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