三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产

📋总体概括

三星电子与阿斯麦宣布扩大战略合作，三星将加入12英寸光罩技术行业合作计划，并计划在2028年前首次将高数值孔径（High NA）EUV光刻用于DRAM大规模量产。三星称12英寸光罩可提高晶圆厂生产效率、降低制造成本并减少拼接限制；高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线、简化工艺。这是高NA EUV在存储芯片领域的首个明确量产时间表，标志着先进光刻从逻辑芯片向DRAM的实质性推进。