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三星电子、台积电确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产
📋总体概括
ASML在SPIE前夕宣布与三星、台积电等合作，推动High NA EUV光刻从6英寸掩膜过渡到12英寸掩膜，以提升产能、降低成本并解决拼接问题。三星确认2028年将High NA EUV用于先进DRAM量产，台积电计划2031年导入先进逻辑制程量产。各方还计划2031年前建设12英寸掩膜试点线，为2033年High NA EUV先进制程投产做准备，先进制程路线图进一步明确。
⚡关键信息
- ▸三星计划2028年将High NA EUV用于先进DRAM大规模生产，抢先在存储器领域落地
- ▸台积电计划2031年起在先进逻辑制程量产中导入High NA EUV，节奏晚于三星三年
- ▸ASML联合各方推动掩膜从6英寸过渡到12英寸，以提升机台效率、降低制造成本
- ▸12英寸掩膜可化解当前方案的「半场」拼接问题，各方计划2031年前建成试点线
- ▸各方瞄准2033年在High NA EUV先进制程中正式投产
🔥犀利点评
这份「确认」含金量在于时间表落定：三星2028年先用DRAM试水很精明，存储结构规整、对拼接和成本更宽容，拿DRAM当High NA的练兵场再往逻辑走，风险可控。台积电慢到2031年不是落后，而是它有成熟DUV多重曝光方案兜底，没必要替ASML交学费。真正的瓶颈恐怕不是光刻机，而是掩膜板生态和Single Exposure的工艺红利何时真正兑现——High NA这仗，ASML比谁都急着打赢。
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