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阿斯麦赢得台积电和三星承诺 新一代EUV光刻机获强力“护航”
📋总体概括
阿斯麦9月8日连发三条公告，宣布与台积电、三星、英特尔推进下一代High NA EUV光刻技术：台积电计划2030年起将其用于先进制程量产，三星拟2028年前首次用于DRAM量产，英特尔已处理超100万片相关晶圆。三星还表示合作将推动12英寸光掩模取代沿用几十年的6英寸掩模。三大客户集体背书，为阿斯麦下一代设备提供了量产时间表与需求确定性。
⚡关键信息
- ▸阿斯麦一天内连发三公告，分别与台积电、三星、英特尔敲定High NA EUV应用路线
- ▸台积电计划自2030年起将High NA用于先进制程大规模生产
- ▸三星拟2028年前首次将High NA用于DRAM量产，并推动12英寸掩模取代6英寸
- ▸英特尔称已处理超100万片采用High NA相关技术的晶圆
- ▸现有EUV单次曝光面积约800平方毫米，已逼近英伟达、谷歌大芯片设计极限
🔥犀利点评
三大客户同日为High NA站台，与其说是公告，不如说是给下游和资本市场的定心丸——设备贵、产线切换慢，没有台积电量产时间表，阿斯麦的下一代机器就只是实验室玩具。但注意时间点：量产都在2028-2030年，眼下真正出货兑现的还是英特尔那100万片晶圆。掩模从6英寸升12英寸才是真看点，否则曝光面积卡死，AI大芯片还得拼凑，High NA的溢价故事就缺了关键一环。
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