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韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%：4个里3个是废品！拿什么追SK海力士
📋总体概括
据韩国《朝鲜日报》报道，长鑫存储已试产第四代HBM3，但初期良率仅25%，远低于行业80%的量产黄金线，更与SK海力士超90%的良率差距悬殊。韩媒称问题根源不在其G4工艺DRAM本身，而在TSV硅通孔技术：长鑫每颗芯片TSV约3000个，三星HBM2超5000个，SK海力士HBM3超8000个，且韩企已积累4至5年工艺诀窍。该报道既反映中国HBM与国际头部厂商的真实差距，也带有明显的舆论竞争色彩。
⚡关键信息
- ▸长鑫存储已启动HBM3试产，初期良率仅25%，行业量产黄金线为80%
- ▸SK海力士自2022年量产同款HBM3，良率已超90%，为长鑫的三倍以上
- ▸韩媒指瓶颈在TSV硅通孔技术而非G4工艺DRAM本身
- ▸TSV数量对比：长鑫约3000个，三星HBM2超5000个，SK海力士HBM3超8000个
- ▸TSV需在每层芯片钻数千个微米级孔并填铜，偏移或填充不完整即整层报废
🔥犀利点评
25%良率确实是硬伤，但拿试产初期数据对比量产三年多的SK海力士，本身就是田忌赛马式打法——谁家HBM3刚试产不是一地废品？真正值得警惕的是两点：一是TSV数量差距反映的是堆叠层数和工艺代差，这是实打实的门槛；二是TSV诀窍靠时间喂出来，制裁环境下长鑫没有捷径。韩媒嘲讽归嘲讽，恐慌没必要，但指望一两年内追平海力士的乐观派也该醒醒了。
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