SK 海力士目标 2028 年将 High NA EUV 技术用于 DRAM 内存量产

📋总体概括

SK海力士宣布目标2028年将High NA EUV光刻技术应用于DRAM大规模生产，并正评估是否加入ASML联合台积电、三星、英特尔推动的12英寸掩膜生态系统联盟。同日三星也确认2028年将High NA EUV用于先进DRAM量产，美光则计划在1δ代DRAM导入最新一代EUV设备。三大存储巨头在先进光刻路线图上正面撞期，High NA EUV正从设备验证走向存储器量产阶段，存储竞赛的技术门槛被进一步抬高。