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科研团队实现埃米级原子滑移,撬动千万倍电阻变化
📋总体概括
中国科学院半导体研究所团队通过二维范德华异质结界面工程,实现仅0.1纳米量级的原子层滑移即可撬动千万倍电阻变化,攻克了滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的难题。成果9月11日发表于《科学》。该器件未来若完成大规模阵列和配套电路,有望用于手机、电脑等终端存储运算,为存算一体架构提供新方案。
⚡关键信息
- ▸中科院半导体所利用二维范德华异质结界面工程实现埃米级原子滑移调控电阻
- ▸0.1纳米尺度的滑移即可产生千万倍电阻变化,开关比与耐久性难题同步突破
- ▸相关成果9月11日发表于《科学》期刊
- ▸该器件面向存算一体架构,瞄准算力提升与功耗受限的核心矛盾
- ▸落地前提是完成大规模器件阵列和配套电路的研发
🔥犀利点评
发《科学》说明物理层面是真突破,但离产业至少还有十年长跑:单器件性能惊艳不等于能做成阵列,滑移铁电的一致性、良率和配套电路都是硬骨头。存算一体赛道英特尔、三星都在赌,国内团队在材料机理上抢跑有价值,但别急着拿「手机电脑」画饼,先把百万器件阵列跑稳定再说落地。
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