DUV光刻机也能造3nm芯片！中科院GAA晶体管重大突破：绕开EUV光刻机

📋总体概括

中国科学院公布一种新型全环绕栅极（GAA）晶体管架构，采用DUV光刻机制造，实现开关比超过50万倍，理论上可解锁3nm等效性能。传统DUV经多重曝光和浸没式工艺通常只能做到7nm级别，该架构通过放宽晶体管间距保持性能，绕开了对EUV光刻机的依赖。不过该突破目前仅解决前道FEOL环节，中道金属互连与后道M0层布线瓶颈仍未突破，距离实际量产芯片尚有距离。