核心零部件🔥7.0
摩尔定律有救了!泛林SA-CFET架构把CMOS推过1nm:SRAM面积暴缩52.7%
📋总体概括
泛林集团于9月29日提出自对准互补场效应晶体管(SA-CFET)架构,可将CMOS晶体管推进至1nm及以下节点。CFET通过将NMOS与PMOS垂直堆叠,替代传统并排布置,在相同面积内提升器件密度并改善静电控制。imec在制程路线图中预测2038年有望实现0.3nm等级工艺,并视CFET为突破物理极限的核心方案。该架构可使SRAM面积缩减52.7%,为逼近极限的摩尔定律提供延续路径。
⚡关键信息
- ▸泛林集团9月29日提出SA-CFET架构,目标将CMOS推进至1nm及以下节点
- ▸CFET将NMOS和PMOS垂直堆叠,相同平面面积内实现更高器件密度
- ▸该架构下SRAM面积可缩减52.7%,并改善静电控制能力
- ▸imec路线图预测2038年有望实现0.3nm等级工艺,CFET为核心方案
🔥犀利点评
半导体圈每逢瓶颈就喊『摩尔定律有救了』,这次CFET确实是有物理依据的方向——垂直堆叠NMOS/PMOS是继FinFET、GAA之后顺理成章的下一跳。但要泼冷水:imec把0.3nm画到2038年,恰恰说明这是十几年的长跑,热管理、对准精度、量产良率全是硬骨头。泛林这步棋是设备商提前卡位下一代工艺,离产线落地远得很,别被标题党带了节奏。
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