核心零部件🔥7.0
美光泼冷水:长鑫正在实施的4F2技术是死路一条 应该采用3D DRAM
📋总体概括
美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上称,二十多年研究表明4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径,密度优势被夸大,暗示长鑫存储正推进的4F²技术是死路一条,美光将坚持6F²并全力转向3D DRAM。此前长鑫宣布2026年底前推出4F²架构DDR5 RDIMM服务器内存,曾引发SK海力士单日跌超10%、三星跌超7%。这场隔空交锋折射出存储巨头对DRAM技术路线和中国厂商竞争的深层焦虑。
⚡关键信息
- ▸美光CTO Scott DeBoer称二十多年研究证明4F²架构无可行微缩路径,密度优势是神话
- ▸美光将跳过4F²,坚持6F²路线并全力转向3D DRAM
- ▸长鑫存储宣布2026年底前推出4F²架构DDR5 RDIMM服务器内存
- ▸长鑫消息曾致SK海力士单日暴跌超10%、三星跌超7%
- ▸4F²将晶体管与电容垂直堆叠,理论上可缩减30%至40%芯片面积
🔥犀利点评
美光这番话与其说是技术判断,不如说是战略威慑。4F²若真二十多年都走不通,美光何须专门开研讨会点名泼冷水?恰恰是长鑫的宣布击穿了三大巨头的价格与技术护城河,才逼出这番唱衰。真实答案要等长鑫的DDR5 RDIMM量产良率和成本说话。但也要警惕:长鑫宣传的30%-40%面积缩减是理论值,垂直堆叠的工艺难题同样不小,双方都在用嘴打仗,客户信谁,市场自会用订单投票。
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